本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件”的专利，公开号 CN 118919570 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅介质层，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的上方共同设置有源极电极，源极电极的上方两侧设置有金属插塞结构和硬掩膜层，两个金属插塞结构的上方均设置有栅极金属层。该具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件，增加电场的缓冲高效性，避免器件栅极层积累大量电荷造成栅极层被击穿的情况，有利于保障器件耐高压的性能，提高 MOSFET 晶体管的使用效果。
