本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种晶圆键合结构及其形成方法”的专利，公开号CN 118919426 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆中形成有若干隔离结构，所述第一晶圆表面还形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属层；第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层，所述第一晶圆和第二晶圆通过所述第一介质层和第二介质层键合；穿硅通孔，位于所述第一晶圆和第一介质层中暴露所述金属层，所述穿硅通孔包括位于所述第一晶圆中暴露部分所述隔离结构的第一通孔以及位于所述若干隔离结构之间暴露所述金属层的第二通孔，所述部分隔离结构及所述部分隔离结构下方的部分第一介质层对所述金属层提供压应力。本申请的技术方案可以提高器件电学性能以及器件可靠性。
