本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体装置以及半导体结构的制备方法”的专利，公开号 CN 118919506 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体装置以及半导体结构制备方法，半导体结构包括：衬底；覆盖衬底的介质层；设置在介质层中的第一连接垫，第一连接垫延伸至介质层表面下方第一深度；设置在第一连接垫与介质层之间的连接部，连接部具有第一子连接部和第二子连接部，第一子连接部具有高于第一连接垫的表面，第二子连接部具有低于第一连接垫的表面，第一子连接部延伸至介质层表面下方第二深度，第二子连接部延伸至介质层表面下方第三深度，第二深度不小于第一深度，第三深度小于第二深度。本公开实施例提供的半导体结构具有更好的键合良率。
