本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，矽赫微科技（上海）有限公司申请一项名为“半导体晶片的静电带电去除方法”的专利，公开号CN 118919396 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种半导体晶片的静电带电去除方法，提供一种用于在半导体制造工艺中降低半导体晶片所带的静电的带电量的方法。在应用于半导体制造工艺的半导体晶片（W1、W2）的静电带电去除方法中，对于等离子体处理后的半导体晶片（W1、W2）供给氩气（30），削减半导体晶片（W1、W2）所带的静电的带电量。进而对等离子体处理后的半导体晶片（W1、W2）供给包含氩气和氢气的混合气体，接着供给氧气，从而省略对半导体晶片（W1、W2）的清洗处理并削减半导体晶片（W1、W2）所带的静电的带电量。
