本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，无锡光磊电子科技有限公司申请一项名为“一种提高MOS器件耐压的方法”的专利，公开号CN 118919411 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高MOS器件耐压的方法，包括S1，首先进行衬底材料的选取；S2，选择栅极材料并制备栅极；S3，进行分级电压配置；S4，在进行源极和漏极设置时调整掺杂工艺参数；S5，调整多级MOS结构之间的距离；S6，进行MOS器件的耐压测试。本方明在进行MOS器件耐压能力提升的方法包括设置第一绝缘层和第二绝缘层、选择衬底材料和栅极材料、进行电压分级配置，调整掺杂工艺以及调整多级MOS结构之间的距离共同实现，通过上述方法之间的结合，使得进行MOS器件耐压改性操作起来更加的灵活，同时利用多种调节的方式使得MOS器件改性实施效果更加的明显，以此使得本方案制备出的MOS器件高压使用下性能更稳定。
