润芯感知科技申请半导体加工工艺方法和半导体器件专利,可提高半导体加工效果

润芯感知科技申请半导体加工工艺方法和半导体器件专利,可提高半导体加工效果
2024年11月11日 20:20 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,润芯感知科技(南昌)有限公司申请一项名为“半导体加工工艺方法和半导体器件”的专利,公开号CN 118919454 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,一种半导体加工工艺方法和半导体器件,所述半导体加工工艺方法包括:形成包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层的中间结构;将中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中,并在刻蚀腔室中使用刻蚀物质对金属结构进行刻蚀工艺,刻蚀工艺以图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜,移除金属结构的部分并形成金属图案在刻蚀工艺后在中间结构的表面上残留有由刻蚀物质和金属结构的被移除部分反应生成的刻蚀副产物;将中间结构从刻蚀机台的刻蚀腔室移至刻蚀机台的附加真空腔室,向附加真空腔室通入水汽,并将水汽解离成等离子体,其中等离子体与刻蚀副产物反应,并生成气态产物;以及利用真空泵将气态产物从附加真空腔室抽出。

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