长兴华强电子和成都大学申请硒基化镍纳米材料相关专利,解决比表面积相对较低问题

长兴华强电子和成都大学申请硒基化镍纳米材料相关专利,解决比表面积相对较低问题
2024年11月11日 20:20 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 11 日消息,国家知识产权局信息显示,长兴华强电子股份有限公司和成都大学申请一项名为“一种硒基化镍纳米材料及其制备方法和应用”的专利,公开号 CN 118919319 A,申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示,本发明涉及硒基化镍纳米材料技术领域,具体涉及一种硒基化镍纳米材料及其制备方法和应用,采用一步水热合成的湿化学方法制备出以 Ni3Se4 为主要物相的硒基化镍纳米材料,同时具有纳米棒的形貌,然后采用能量对纳米棒产物进行处理,对硒基化镍纳米材料形貌进行二次修饰,形成带有空间螺纹的表面形貌,进一步提升 Ni3Se4 的比表面积,从而解决硒基化镍纳米材料作为超级电容器电极材料,存在比表面积相对较低的问题。

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