本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制作方法”的专利，公开号CN 118919533 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，基底包含一高压区以及一低压区，一第一深沟槽隔离设置在高压区内，其中第一深沟槽隔离包含第一深沟槽设置于基底中和一第一绝缘层填入第一深沟槽，其中第一深沟槽包含一第一侧壁和一第二侧壁，第一侧壁面对第二侧壁，第一侧壁仅由一第一平面和一第二平面组成，第一平面的边缘连接第二平面的边缘，第一平面的斜率和第二平面的斜率不同，一浅沟槽隔离设置在低压区内，其中浅沟槽隔离包含一沟槽设置于该基底上以及一第二绝缘层填入浅沟槽，其中浅沟槽隔离的深度小于第一深沟槽隔离的深度。
