本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”的专利，公开号CN 118919546 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，该半导体结构包括：基底和光电功能层；光电功能层包括多个N型掺杂区和P型掺杂区P型掺杂区位于形成于相邻N型掺杂区间的隔离槽内；N型掺杂区包括第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三N型掺杂层；第二N型掺杂层位于第一N型掺杂层和第三N型掺杂层之间，第二N型掺杂层中掺入的杂质元素的相对原子质量最大；P型掺杂区具有分别与三个N型掺杂层对应的第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和第三P型掺杂层；隔离槽具有开槽延伸方向和与开槽延伸方向垂直的宽度方向，第二P型掺杂层沿宽度方向的宽度最小。通过本申请实施例，提升了图像传感器的成像质量。
