本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118919518 A，申请日期为2021年8月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；对准标记，位于所述半导体层上方；介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。本发明能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度，有助于提高半导体产品的良率，改善半导体产品的性能。
