本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号 CN 118919486 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面形成介质材料叠层；去除部分衬底，以形成隔离沟槽；去除部分介质材料叠层，以形成介质叠层及目标沟槽，目标沟槽位于隔离沟槽正上方，且目标沟槽沿第一方向的长度大于隔离沟槽沿第一方向的长度，第一方向为平行衬底的方向；形成第一隔离层，第一隔离层覆盖隔离沟槽的内表面、目标沟槽的侧壁以及介质叠层的顶面；于第一隔离层的表面形成第二隔离层，第一隔离层与第二隔离层构成目标隔离层。上述半导体结构的制备方法至少能够避免在沟槽内填充隔离层时形成的空洞。
