英麦科磁集成科技申请多层多圈线圈结构及其制造方法专利,防止线圈间短路同时提高了产品的耐压

英麦科磁集成科技申请多层多圈线圈结构及其制造方法专利,防止线圈间短路同时提高了产品的耐压
2024年11月11日 20:20 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 11 日消息,国家知识产权局信息显示,英麦科磁集成科技有限公司申请一项名为“一种多层多圈线圈结构及其制造方法”的专利,公开号 CN 118919258 A,申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示,本发明提供了一种多层多圈线圈结构及其制造方法,多层多圈线圈结构包括至少两个子线圈、设置于相邻两子线圈之间的承接线圈、设置于子线圈与承接线圈之间的焊接层、以及设置于与焊接层相接触的线圈的线圈间隙的绝缘层;子线圈及承接线圈均包括底面线圈、设置于底面线圈上的绝缘膜、设置于绝缘膜上的顶面线圈,绝缘膜上包括至少一个通孔,通孔内设置有触点,以使得位于该绝缘膜两侧的底面线圈与顶面线圈之间电接触;位于同一焊接层两侧的线圈的圈数相同、且大于 1。在子线圈与承接线圈的线圈间隙设置有绝缘层,以防止线圈间短路同时提高了产品的耐压,从而解决了多层多圈线圈结构的绝缘问题。

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