本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，成都奕成集成电路有限公司申请一项名为“一种带导电通孔的玻璃基板及其制作方法”的专利，公开号 CN 118919422 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本申请提供的一种带导电通孔的玻 璃基板及其制作方法，包括：提供一玻璃基板，玻璃基板包括第一面和与其相对的第二面；形成玻璃基板第一面贯穿至第二面的通孔；通过原子层 沉积工艺形成至少覆盖通孔内壁的钝化层；在钝化层朝向通孔的一侧形成覆盖钝化层的粘附层；在粘附层靠近通孔中的一侧设置具有导电性的填充层。本申请采用原子层沉积和电镀工艺从通孔内壁向通孔 中心层叠设置钝化层、粘附层及填充层，增强了界面稳定性，确 保孔内壁界面的连续性和多样性；通过灵活选择是否沉积铜种 子层，可以满足不同导电性需求；可以打破孔内形貌和孔径比 限制，实现高质量薄膜沉积，包括在极小孔径内的薄膜沉积，提 升了玻璃通孔的整体性能和可靠性。
