本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置”的专利，公开号CN 118919407 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种等离子体刻蚀方法，在一等离子体处理腔内进行，包含步骤：提供待刻蚀器件，其包括基层、依次位于基层上的刻蚀材料层和掩膜层，掩膜层具有第一图形，第一图形暴露出刻蚀材料层的待刻蚀区域；施加第一低频偏置射频信号至处理腔以进行第一刻蚀工艺，在刻蚀材料层形成第二图形，第二图形的刻蚀深度为刻蚀材料层厚度的70％～98％；施加高频偏置射频信号至处理腔以进行第二刻蚀工艺，形成刻蚀深度大于或等于刻蚀材料层厚度的第三图形；施加第二低频偏置射频信号至处理腔以进行第三刻蚀工艺，形成贯穿刻蚀材料层和部分厚度的基层的第四图形；第三、第四图形底部的关键尺寸均达到预设的关键尺寸。本发明还提供一种等离子体刻蚀装置。
