本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“硅片表面金属收集方法及检测方法”的专利，公开号CN 118919443 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅片表面金属收集方法及检测方法，属于半导体制造技术领域。硅片表面金属收集方法包括：利用质量百分浓度低于预设阈值的刻蚀溶液覆盖待处理的硅片，去除所述硅片表面的氧化膜；控制扫描溶液在所述硅片表面按照目标路径运行，完成对所述硅片表面的金属收集；其中，所述扫描溶液为HF酸液与其它酸液的混合酸液，所述其它酸液为HNO3酸液、HCl酸液和H2O2酸液中的至少一种。本发明的技术方案能够实现对硅片表面金属的检测。
