本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，鸿海精密工业股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利，公开号CN 118919412 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，一种形成半导体装置的方法包含在基板上形成磊晶层，在磊晶层上形成硬遮罩层，硬遮罩层具有第一部分与第二部分，第一部分与第二部分之间具有间隙，执行氧化工艺，以在硬遮罩层的表面形成氧化层，经由硬遮罩层的间隙在磊晶层中形成源极区，移除硬遮罩层的第一部分与氧化层，使用硬遮罩层的第二部分为离子植入遮罩，以在磊晶层中形成阱，在源极区与阱上形成牺牲介电层，移除硬遮罩层的第二部分，使用牺牲介电层为离子植入遮罩，以在磊晶层中形成结型场效应晶体管区，在结型场效应晶体管区上形成介电层，移除牺牲介电层，在介电层的一侧形成栅极结构。可降低因为对准误差而在半导体装置上产生的寄生电容，且可确保掺杂区及通道区尺寸在所设计范围内。
