本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司和珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 118919521 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法。半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底沿第一方向的一侧的防伪结构，所述防伪结构包括沿所述第一方向层叠的多层干涉层，所述干涉层中具有防伪图案，相邻所述干涉层的折射率不相同；其中，所述第一方向垂直于所述半导体衬底的表面。所述半导体器件的可靠度提高。
