德方创域申请补锂材料及其制备方法等专利,解决富锂材料导电性差及脱锂电位高的问题

德方创域申请补锂材料及其制备方法等专利,解决富锂材料导电性差及脱锂电位高的问题
2024年11月11日 20:30 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市德方创域新能源科技有限公司申请一项名为“补锂材料及其制备方法、正极材料和二次电池”的专利,公开号CN 118919707 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,一种补锂材料及其制备方法、正极材料和二次电池,补锂材料包括一维碳材料、富锂材料和催化剂,至少部分富锂材料和至少部分催化剂负载于一维碳材料上。该补锂材料能够解决富锂材料导电性差以及脱锂电位高的问题。

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