本文源自:金融界
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“一种参数整定方法、整流电路、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN 118920836 A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种参数整定方法、整流电路、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：在并联RC吸收电路前，获取整流二极管正常反向恢复波形所对应的振荡频率和恢复期初始电流；依据预设的结电容值和振荡频率确定杂散电感；在并联RC吸收电路时，确定整流二极管在恢复期对应的等效电路，并构建等效电路对应的等效电路模型；利用等效电路模型进行仿真，确定RC吸收电路的吸收参数和尖峰电压的关系曲线；依据关系曲线确定过电压限值处的尖峰电压所对应的等高线，进而确定RC吸收电路中的目标吸收参数；即本申请能有效保证对尖峰电压的抑制效果，同时满足电阻功率的限制要求，从而提升对吸收参数整定的准确性，进而保证器件的电学性质。
