本文源自:金融界
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，苏州旗芯微半导体有限公司申请一项名为“电压产生电路及晶体振荡器电路”的专利，公开号 CN 118921013 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种电压产生电路及晶体振荡器电路，电压产生电路包括第一MOS管的第一段、第二MOS管的第一段均与外部电源耦接，第一MOS管的第二段、第二MOS管的第二段、第一MOS管的第三端相互连接，第一MOS管的第三端与第三MOS管的第三端连接，第二MOS管的第三端与第四MOS管的第三端连接，第三MOS管的第二段、第四MOS管的第二段、第四MOS管的第三端相互连接，第三MOS管的第一段、第四MOS管的第一段均与地耦接，第二MOS管的第二段为电压输出端，产生电压向外部输出。本发明电压产生电路及晶体振荡器电路，在温度上升时，电压产生电路提供的电压会略有下降；最终晶体振荡器电路的起振时间相对比较固定。
