厦门士兰明镓化合物半导体取得一种 LED 外延结构专利，改善能带偏移问题_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司取得一项名为“一种 LED 外延结构”的专利，授权公告号 CN 221977960 U，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种 LED 外延结构，LED 外延结构包括：外延衬底；在外延衬底的一侧表面上从下到上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层；其中，腐蚀截止层与第一型半导体层之间具有多个 GaAs 量子点结构。本申请技术方案通过在腐蚀截止层和第一型半导体层之间增加 GaAs 量子点结构，可以基于 GaAs 量子点结构的量子限制效应，调节能带结构，进而改善能带偏移问题。