上海兆方半导体取得一种硅基电容结构专利，减少了光罩数量_

本文源自:金融界

金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海兆方半导体有限公司取得一项名为“一种硅基电容结构”的专利，授权公告号CN 221977932 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型公开一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。所述硅基电容减少了光罩数量，降低了制造成本，同时提升了电容面积利用率，降低了接触通孔的蚀刻负载效应。