本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“3D 存储器件”的专利，公开号 CN 118921987 A，申请日期为 2018 年 9 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种 3D 存储器件。该 3D 存储器件包括：栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；多个沟道柱，所述沟道柱贯穿所述栅叠层结构以形成晶体管；以及多个伪沟道柱，所述伪沟道柱贯穿所述栅叠层结构中的至少部分所述栅极导体以提供支撑，其中，所述多个伪沟道柱中的至少一个伪沟道柱连接有散热结构。本发明采用伪沟道柱连接至散热结构提供散热途径，可以提高 3D 存储器件的良率和可靠性。
