本文源自:金融界
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，无锡舜铭存储科技有限公司申请一项名为“一种3D铁电存储器结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118921988 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开一种3D铁电存储器结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一互连结构，包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；在第一介质层表面依次形成刻蚀停止层、第二介质层、第三介质层和硬掩模层，其中第二介质层的刻蚀速率低于所述第三介质层；在第二介质层、第三介质层中形成深孔，该深孔位于第三介质层的部分呈圆柱形，位于第二介质层的部分为倒锥形，且底部面积不大于电容器导电柱的顶部面积；在深孔中依次形成第一电极层、高K铁电氧化物层及第二电极层，形成深孔电容；形成金属互连及板线、位线。采用具有不同刻蚀速率的介质层，形成特定形成的深孔，保证电容电极与电容导电柱充分接触。
