先导薄膜申请一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法专利,降低电阻

先导薄膜申请一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法专利,降低电阻
2024年11月13日 11:40 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,先导薄膜材料(广东)有限公司申请一项名为“一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法”的专利,公开号 CN 118930227 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明属于新材料技术领域,公开了一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体的制备方法,将含氧化物前驱体的浆料进行砂磨,然后造粒;所述氧化物前驱体中含有不低于97.5wt%的氧化铟;砂磨所用的磨球的粒径分别为0.3mm、0.4~0.6mm、0.8~1.0mm;0.3mm的磨球、0.4~0.6mm的磨球、0.8~1.0mm 的磨球的质量比为4~7:1~4:1~4。本发明的方法针对高氧化铟含量的靶材,采用了砂磨法并配合不同粒径的磨球来实现前驱体粉末之间间隙减小、降低粉末之间的直接接触电阻和位垒电阻,最终提高前驱体的密度、降低电阻、改善团聚性能。同时,本发明还提供了一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体。

财经自媒体联盟更多自媒体作者

新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部