南京航天波平申请磁性干扰屏蔽膜及其制备方法专利,解决射频芯片频段噪声辐射超标问题

南京航天波平申请磁性干扰屏蔽膜及其制备方法专利,解决射频芯片频段噪声辐射超标问题
2024年11月13日 13:10 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,南京航天波平电子科技有限公司申请一项名为“一种磁性干扰屏蔽膜及其制备方法”的专利,公开号CN 118931122 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明涉及无线通讯技术领域,具体公开了一种磁性干扰屏蔽膜及其制备方法,包括以下质量分数:吸收剂70wt %~85wt%、聚酯10wt%~15wt%、抗氧化剂1wt%~3wt%、分散剂1wt%~2wt%和加工润滑剂1wt%~2wt%。采用挤出流延工艺,可以有效解决射频芯片在13.56MHz频段噪声辐射超标,设备存在辐射干扰的问题,同时不会影响电子控制单元出现错误动作,噪声抑制片在13.56MHz的磁导率为120~180。

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