江西兆驰半导体申请ITO薄膜制备方法专利，解决ITO薄膜外观粗糙、透过率低的问题_

本文源自:金融界

金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种ITO薄膜制备方法及ITO薄膜”的专利，公开号 CN 118932285 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种LED制备方法及ITO薄膜，该方法包括：提供一低密度ITO锭；将所述低密度ITO锭置于蒸镀设备腔体内，并将所述蒸镀设备腔体调至设定状态；在所述蒸镀设备腔体内，依次对所述低密度ITO锭进行预熔、初步受热以及充分预热至蒸镀设定电流值；通过所述设定电流值对所述低密度ITO锭进行蒸镀，并在蒸镀完成后冷却破气得到ITO薄膜。本发明解决了现有技术中ITO薄膜制备方法制备的ITO薄膜外观粗糙、透过率低的问题。