本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 14 日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“光罩、光刻方法及半导体结构”的专利，公开号 CN 118938590 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种光罩、光刻方法及半导体结构。该光罩应用于目标晶圆的图案化工艺，包括遮光图案，遮光图案至少限定出光罩的第一透光区和第二透光区；其中，第一透光区与第二透光区间隔设置，且第一透光区的透光强度与相邻的第二透光区的透光强度不同。该光罩有利于降低微负载效应，提升目标图案的尺寸一致性。
