世名申请一种用于C-HJT电池制程的光刻胶专利,提高曝光后铜电镀工艺中耐渗镀性能

世名申请一种用于C-HJT电池制程的光刻胶专利,提高曝光后铜电镀工艺中耐渗镀性能
2024年11月14日 14:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月14日消息,国家知识产权局信息显示,世名(辽宁)新材料有限公司、世名(苏州)新材料研究院有限公司申请一项名为“一种用于C-HJT电池制程的光刻胶”的专利,公开号 CN 118938602 A ,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明公开了一种用于C‑HJT电池制程的光刻胶,按照重量份数计,包括以下组分:高分子粘合剂50‑80份、光聚合单体20‑40份、光引发剂3‑5份;所述光聚合单体具有丙烯酰氧型不饱和官能基,所述高分子粘合剂为三元光敏性苯乙烯‑马来酸酐‑苯乙烯磺酸钠改性树脂或包含三元光敏性苯乙烯‑马来酸酐‑苯乙烯磺酸钠改性树脂的混合物。该光刻胶具有亲水性强、显影速度快、固化速率佳等特点,可以提高曝光后铜电镀工艺中耐渗镀性能。

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