本文源自:金融界
金融界2024年11月14日消息，国家知识产权局信息显示，厦门美日丰创光罩有限公司申请一项名为“一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法”的专利，公开号CN 118938613 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其是在ICP机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为，仅使用化学蚀刻将中心的Cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于Mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻Cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证Mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的Cr残留去除，保证产品品质的完整性。
