本文源自:金融界
金融界2024年11月14日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“图像传感器”的专利，授权公告号 CN 221994470 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种图像传感器，包括：衬底；第一透明材料层，形成于所述衬底上；沟槽，形成于所述第一透明材料层中，所述沟槽贯穿或不贯穿所述第一透明材料层，所述沟槽作为格栅。本实用新型的技术方案能够在实现光学隔离的同时，还能提升量子效率。
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金融界2024年11月14日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“图像传感器”的专利，授权公告号 CN 221994470 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种图像传感器，包括：衬底；第一透明材料层，形成于所述衬底上；沟槽，形成于所述第一透明材料层中，所述沟槽贯穿或不贯穿所述第一透明材料层，所述沟槽作为格栅。本实用新型的技术方案能够在实现光学隔离的同时，还能提升量子效率。
