本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“静态随机存储单元以及静态随机存储器”的专利，公开号 CN 118942509 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种静态随机存储单元，包括由第一上拉晶体管和第一下拉晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二上拉晶体管和第二下拉晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置，第一和第二CMOS反相器的输出端分别连接第一和第二传输晶体管的传输端，还包括与第一下拉晶体管的源/漏极并联的第一读下拉晶体管，第一读下拉晶体管的栅极与第一下拉晶体管的栅极之间耦接第一读传输晶体管，第一读传输晶体管的栅极外接至读字线；以及与第二下拉晶体管的源/漏极并联的第二读下拉晶体管，第二读下拉晶体管的栅极与第二下拉晶体管的栅极之间耦接第二读传输晶体管，第二读传输晶体管的栅极外接至读字线。上述技术方案通过读字线的电平和耦接的读传输晶体管传输自适应信号，来控制第一和第二读下拉晶体管的工作状态，从而增加读模式下的第一和第二下拉晶体管驱动能力，来获得足够大的读余量。同时在写模式和保持模式下通过读字线来关闭第一和第二读下拉晶体管来保证写模式和保持模式不受影响。
