物元半导体申请用于 3D 晶圆级封装键合方法专利,提高键合精度和界面结合强度

物元半导体申请用于 3D 晶圆级封装键合方法专利,提高键合精度和界面结合强度
2024年11月15日 09:57 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 15 日消息,国家知识产权局信息显示,物元半导体技术(青岛)有限公司申请一项名为“一种用于 3D 晶圆级封装的键合方法”的专利,公开号 CN 118943026 A,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本发明设计一种用于 3D 晶圆级封装的键合方法,包括以下步骤:提供具有键合界面的第一衬底和第二衬底;在两衬底的键合界面上均匀旋涂包含纳米级金属粒子界面粘合剂;扫描第一衬底和第二衬底的三维立体图像,获取键合界面高度分布;基于高度分布在键合界面上定点点涂界面粘合剂,使两个衬底的键合界面高度互补;将第一键合界面和第二键合界面对准压合;在预定热回流温度下对压合后的第一衬底和第二衬底进行热回流处理。本发明通过点涂界面粘合剂实现了衬底间高度互补的精确键合,提高了键合精度和界面结合强度,通过热处理流程优化了两键合界面间的热膨胀匹配,提高键合后两衬底整体结构的稳定性和长期可靠性。

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