本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 118943017 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沟道叠层结构，沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，基底上形成有横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构的侧壁形成有第一侧墙层；在栅极结构两侧的沟道叠层结构中形成第一凹槽，第一凹槽的侧壁暴露出沟道叠层结构；沿平行于基底且与栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，横向刻蚀第一凹槽侧壁露出的部分牺牲层，形成第二凹槽；去除第一侧墙层；在第二凹槽中以及栅极结构的侧壁形成第二侧墙层。减少了在第一凹槽的底部和侧壁残留第二侧墙层的材料的概率，从而提高了半导体结构的性能。
