本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制作方法、电子设备”的专利，公开号 CN 118943184 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种芯片及其制作方法、电子设备，涉及芯片技术领域，能够解决后端制造工艺中的结晶硅因金属残留导致各种问题。该芯片包括：第一器件层、第二器件层、中间介质层。其中，中间介质层位于第一器件层和第二器件层之间。第二器件层中包括鳍式场效应晶体管。鳍式场效应晶体管包括鳍结构，鳍结构中包括结晶硅层以及位于结晶硅层上的外延层；外延层中包括沟道部和隔离部；结晶硅层设置在中间介质层上，且结晶硅层中具有金属元素；隔离部位于结晶硅层与沟道部之间，且隔离部中包括碳元素。通过设置隔离部能够阻止结晶硅层中的金属以及杂质原子扩散至沟道部中，并减弱鳍结构底部的漏电效应。
