本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉邮电科学研究院有限公司申请一项名为“种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法”的专利，公开号CN 118943229 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，其包括衬底、锑化铋薄膜和驱动电极；锑化铋薄膜位于所述衬底上，驱动电极位于所述锑化铋薄膜上。本申请证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。
