本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种图像传感器结构、制作方法及电子设备”的专利，公开号 CN 118943154 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器结构、制作方法及电子设备，图像传感器结构包括光电二极管层、介质层和滤光层，光电二极管层和介质层依次层叠，介质层包括多个凹槽；滤光层包括多个透过光波长不同的滤光膜，每个滤光膜对应填充一个凹槽；每个凹槽的底壁与光电二极管层之间的目标距离不同，目标距离基于滤光膜允许透过的光波长范围确定。从而在该目标距离下，由于从介质层表面反射的光与从光电二极管层表面反射的光之间会发生相消干涉，从而大大减小了反射光的强度，进而使得滤光膜允许透过的光能够更多的透射进入光电二极管层内，产生更多的光电子，增强了入射光的量子效率，从而提升图像质量。
