本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 15 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆云潼科技有限公司申请一项名为“一种 VDMOS 器件”的专利，公开号 CN 118943182 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 VDMOS 器件，该器件用于使多个原胞区通电并形成并联状态的 Bus 走线包括 N+衬底层(1)，N ‑ 外延层(2) ，栅氧层(3) ，第一 N 型多晶硅层(4) ，第一 P 型多晶硅层(5) ，第二 N 型多晶硅层(6) ，第二 P 型多晶硅层(7)，第三 N 型多晶硅层(8)，以及介质层(9)。本 VDMOS 器件在 Bus 走线中形成第一、二、三 N 型多晶硅层、第一、二 P 型多晶硅层，且第一、二 P 型多晶硅层和第二、三 N 型多晶硅分别通过接触孔实现与器件的 Gate PAD 区域实现电性连接，实现了器件门极串联 2 个并联的二极管，实现了器件阈值电压 0.6～0.8V 的提升；通过对 Bus 走线结构进行改进，未涉及器件的原胞区、终端区进行改进，提高了器件阈值电压的同时，保持了器件其它参数不变。
