本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种非制冷红外探测器薄膜结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 118943211 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供的一种非制冷红外探测器薄膜结构，包括已经完成下电极图形化的非制冷红外探测器晶圆，所述下电极的两端形成有台阶；所述下电极上部依次沉积有高温氮化硅层以及低温氮化硅层；所述低温氮化硅层以及所述高温氮化硅层上形成有通孔，所述低温氮化硅层以及所述通孔内沉积有氧化钒层。本发明通过上述的结构，可以显著的降低氧化钒层与金属电极导通问题的发生。本发明还提供了一种非制冷红外探测器薄膜结构的制造方法，可以用于制造非制冷红外探测器薄膜结构。
