本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请一项名为“一种氧化镓压电衬底及其制备方法”的专利，公开号CN 118944625 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氧化镓压电衬底及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)提供源衬底，在所述源衬底上制备结晶层；(2)在所述结晶层上制备ε‑Ga2O3压电薄膜层；(3)在所述ε‑Ga2O3压电薄膜层上制备键合层；(4)提供转移衬底，通过键合层将ε‑Ga2O3压电薄膜层与转移衬底键合；(5)对源衬底进行机械减薄并刻蚀，暴露出结晶层；(6)去除结晶层，暴露出ε‑Ga2O3压电薄膜层，得到氧化镓压电衬底。本发明能够制备具有高精度的氧化镓压电薄膜层的压电衬底。
