爱思开海力士申请半导体集成电路器件及其制造方法专利,可改善器件性能

爱思开海力士申请半导体集成电路器件及其制造方法专利,可改善器件性能
2024年11月15日 16:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体集成电路器件及其制造方法”的专利,公开号 CN 118946141 A,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,本公开涉及半导体集成电路器件及其制造方法。一种半导体集成电路器件可以包括目标精细图案和相邻精细图案。目标精细图案可以具有第一宽度、第一长度和第一高度。第一宽度可以朝下部区域逐渐减小。第一长度可以朝下部区域逐渐增加。第一高度可以大于第一宽度和第一长度。相邻精细图案可以沿着长度方向与目标精细图案接触。相邻精细图案可以具有第二宽度、第二长度和第一高度。第二宽度可以朝下部区域逐渐减小。第二长度可以朝下部区域逐渐减小。

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