本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“超级闪存及其制造方法”的专利，公开号CN 118946147 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一 种超级闪存，器件单元包括位 于源区顶部的第一栅极沟槽， 在第一栅极沟槽的侧面自对 准形成有第一侧墙结构，第一 侧墙结构通过对第一隧穿介 质层、浮栅和第二氧化层的叠 加层自对准刻蚀形成。浮栅的 材料包括TiN层第 侧墙结 构的第二侧面自对准形成有第二侧墙结构，第二侧墙结构通过 对第三氮化硅层、第四氧化层和第五氮化硅层的叠加层自对准 刻蚀形成。第二氧化层采用ALD氧化层。第四氧化层采用HTO氧 化层。第三氮化硅层作为浮栅的保护层，以防止浮栅的TiN层被 氧化。本发明还公开了一种超级闪存的制造方法。本发明能改 善浮栅的TiN层的结构的连续性并从而改善器件的擦除性能。
