本文源自:金融界
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“制造半导体设备的方法”的专利，公开号 CN 118946140 A，申请日期为 2024 年 3 月。
专利摘要显示，在一种制造 半导体设备的方法中， 制备具有单元区域和外 围区域的衬底。在衬底 的表面上方形成包括导 电层的第一单元‑外围 结构。在单元区域中，通 过图案化第一单元‑外 围结构形成单元位线沟槽。在衬底的表面上方形成包括第二导 电层的第二单元‑外围结构。第二单元‑外围结构形成填充单元 区域中的单元位线沟槽的单元位线结构，并且被设置在外围区 域中的第一单元‑外围结构上方。通过在外围区域中图案化第 一单元‑外围结构和第二单元‑外围结构，形成外围栅极结构。
