千帆智能科技申请具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜专利，可获得轻、薄、尺寸和结构可控的聚吡咯薄膜_

本文源自:金融界

金融界2024年11月21日消息，国家知识产权局信息显示，千帆智能科技（天津）有限公司申请一项名为“一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用”的专利，公开号CN 118978727 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用，属于电磁超材料技术领域。本发明通过冷冻界面聚合的方法，将吡咯单体在氧化剂冷冻后形成的界面上进行聚合，从而得到了介电常数和磁导率均为负值的聚吡咯薄膜，并且氧化剂冷冻形成的冷冻界面为聚吡咯薄膜提供了限制空间，进而可以获得轻、薄、尺寸和结构可控的聚吡咯薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、成本低，可以构建完整的平面分子结构，且能够得到单独的具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜。