甬矽半导体申请2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构专利,减小由于热应力导致的翘曲和结构分层

甬矽半导体申请2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构专利,减小由于热应力导致的翘曲和结构分层
2024年11月22日 10:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,甬矽半导体(宁波)有限公司申请一项名为“2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构”的专利,公开号CN 118981998 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本申请提供了一种2.5D封装结构的衬底布线方法、衬底和封装结构,涉及半导体技术领域。该2.5D封装结构的衬底布线方法中,计算每层设有所述布线金属层的介质层的体积,计算每层介质层中金属的体积,计算每层介质层中金属体积占比;且满足。这样设置,有利于确保各层结构中金属占比大致相同,各层结构的热膨胀系数相近,减小由于热应力导致的翘曲和结构分层,提高结构可靠性。

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