本文源自:金融界
金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN 118983218 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制备工艺。其中，IGBT器件制备方法包括：提供一晶圆；对晶圆进行背面减薄，得到减薄面；然后在减薄面上进行激光退火，得到熔融层，以调整减薄面的均匀性。随后对熔融层进行刻蚀，得到刻蚀面。最后在刻蚀面形成阳极层，并在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明利用激光退火等背金工艺会涉及到的常规设备修复减薄面，得到熔融层，并对熔融层进行刻蚀，以在不增加设备成本的基础上，改善减薄面的高低落差，并去除减薄面残留的硅渣，达到修缮减薄面的目的，进而改善半导体器件的电性。
