京东方申请一种薄膜晶体管及其制备方法等专利,减少出现源/漏极的断线不良现象 ,提升产品良率

京东方申请一种薄膜晶体管及其制备方法等专利,减少出现源/漏极的断线不良现象 ,提升产品良率
2024年11月22日 13:15 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置”的专利,公开号 CN 118983317 A,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置,属于显示技术领域,包括:衬底;缓冲层,设置在衬底的一侧;有源层,设置在缓冲层背离衬底的一侧,有源层包括第一部分和第二部分;层间介质层,层间介质层上对应于第一部分和第二部分的位置分别开设有第一通孔和第二通孔;第三金属层,第三金属层至少通过第二通孔与有源层连接,且第三金属层沿第一方向延伸;其中,第二部分在衬底上的正投影包括多个边缘,多个边缘中的至少一个与第一方向垂直的边缘位于第二通孔在衬底上的正投影范围内。通过本申请提供的一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置,可以减少出现源/漏极的断线不良现象,提升产品良率。

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