晶科储能申请储能电芯及其制备方法专利,提高正极片的良率

晶科储能申请储能电芯及其制备方法专利,提高正极片的良率
2024年11月22日 13:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,浙江晶科储能有限公司申请一项名为“储能电芯及其制备方法”的专利,公开号 CN 118983540 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请实施例涉及储能领域,提供一种储能电芯及其制备方法,储能电芯包括:隔膜、正极片以及负极片;正极片包括:集流体,集流体具有沿第一方向排布的极耳以及活性物质部;绝缘增强层,绝缘增强层位于极耳以及极耳与活性物质部之间的交界处,绝缘增强层与极耳的端部具有第一预设范围;活性物质层,活性物质层位于活性物质部对应的集流体上,活性物质层与绝缘增强层之间沿第一方向具有第二预设范围;绝缘增强层的厚度小于或等于活性物质层的厚度;其中,绝缘增强层满足公式:450≤W*H2/(H1)2≤1100,W为绝缘增强层沿第一方向的宽度,H1为绝缘增强层的厚度,H2为活性物质层的厚度。本申请实施例提供的储能电芯及其制备方法可以提高正极片的良率。

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