本文源自:金融界
金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号 CN 118984593 A，申请日期为2020年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体装置。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括栅极图案和绝缘图案；沟道层，其穿透层叠结构；存储器层，其穿透层叠结构，并且围绕沟道层；以及选择晶体管，其连接到沟道层。该选择晶体管包括：碳层，其与沟道层肖特基连接；选择栅极，其与碳层间隔开；以及栅极绝缘层其位于选择栅极和碳层之间，其中，所述碳层的顶面与所述沟道层的底面接触，并且所述沟道层的底面与所述栅极绝缘层的顶面接触。
