连科半导体取得适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统专利,保障TCS浓度恒定及外延沉积速率为恒定值

连科半导体取得适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统专利,保障TCS浓度恒定及外延沉积速率为恒定值
2024年11月26日 11:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月26日消息,国家知识产权局信息显示,连科半导体有限公司取得一项名为“一种适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统”的专利,授权公告号 CN 222043412 U,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本实用新型属于电路控制技术领域,具体的说是一种适用于8吋碳化硅外延的TCS控制系统,包括鼓泡器,所述鼓泡器与恒温水槽相连接,所述鼓泡器内设置有温度传感器,所述温度传感器用以实时检测鼓泡器内的温度变化,所述鼓泡器连接有储液罐,通过TCS在鼓泡器中鼓泡后,通过气路进入浓度监测器,浓度监测器监测鼓泡出来TCS的浓度;随着碳化硅外延生长过程的进行,当氢气中TCS的浓度出现波动时,PZC控制器将会改变质量流量控制器的设定值,使得进入工艺腔体中的TCS质量输运率为恒定值,从而保障TCS浓度恒定及外延沉积速率为恒定值。

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